SILICON EPITAXY BY PLASMA DISSOCIATION OF SILANE

被引：8
作者：
SUZUKI, S
TAKAI, H
OKUDA, H
ITOH, T
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1980年 / 19卷
关键词：
D O I：
10.7567/JJAPS.19S1.647
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：647 / 651
页数：5
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共 4 条
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