COMPARISON OF HG0.6CD0.4TE LPE LAYER GROWTH FROM TE-RICH, HG-RICH, AND HGTE-RICH SOLUTIONS

被引：53
作者：
BOWERS, JE
SCHMIT, JL
SPEERSCHNEIDER, CJ
MACIOLEK, RB
机构：
来源：
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1980年 / 27卷 / 01期
关键词：
D O I：
10.1109/T-ED.1980.19813
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：24 / 28
页数：5
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共 21 条
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