CARRIER MULTIPLICATION IN PINCHOFF REGION OF MOS TRANSISTORS

被引:22
作者
MARTINOT, H
ROSSEL, P
机构
关键词
D O I
10.1049/el:19710078
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:118 / &
相关论文
共 12 条
[11]   SUBSTRATE CURRENT IN SILICON P-CHANNEL MOS TRANSISTORS [J].
RYAN, RD .
PROCEEDINGS OF THE IEEE, 1969, 57 (08) :1424-&
[12]  
SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P62