ON THE DIFFUSIVITY-MOBILITY RATIO OF THE CARRIERS IN N-CHANNEL INVERSION-LAYERS ON TERNARY CHALCOPYRITE-SEMICONDUCTORS

被引：23

作者：

GHATAK, KP ^{[1
]}

CHATTOPADHYAY, N ^{[1
]}

MONDAL, M ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALCUTTA,COLL SCI & TECHNOL,DEPT PHYS,CALCUTTA 700009,W BENGAL,INDIA

来源：

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING | 1987年 / 44卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1007/BF00624597

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：305 / 312

页数：8