AL-GA DISORDER IN ALXGA1-XAS ALLOYS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：46
作者：
MILLER, RC
TSANG, WT
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1981年 / 39卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1063/1.92712
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：334 / 335
页数：2
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