THE ANNEALING OF THIN OXIDES PRIOR TO SILICON-NITRIDE DEPOSITION

被引：1

作者：

RUTTER, P

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1980年 / 23卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(80)90068-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：998 / 1000

页数：3

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共 3 条

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