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MO-CVD GROWTH OF GAP AND GAA1P
被引:26
|
作者
:
BENEKING, H
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BENEKING, H
ROEHLE, H
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ROEHLE, H
机构
:
来源
:
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
|
1981年
/ 55卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0022-0248(81)90274-8
中图分类号
:
O7 [晶体学];
学科分类号
:
0702 ;
070205 ;
0703 ;
080501 ;
摘要
:
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ESCOBOSA, A
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ESCOBOSA, A
KRAUTLE, H
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KRAUTLE, H
BENEKING, H
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BENEKING, H
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,
1982,
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(02)
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1992,
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微电子学,
1982,
(01)
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-
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[24]
PREPARATION OF DEVICE QUALITY GAAS USING PLASMA ENHANCED MO-CVD TECHNIQUE
PANDE, KP
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BENDIX ADV TECHNOL CTR,COLUMBIA,MD 21045
PANDE, KP
SEABAUGH, A
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机构:
BENDIX ADV TECHNOL CTR,COLUMBIA,MD 21045
SEABAUGH, A
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(03)
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[25]
CHARACTERIZATION OF GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN IN A RADIATION HEATED MO-CVD REACTOR
BENEKING, H
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BENEKING, H
ESCOBOSA, A
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ESCOBOSA, A
KRAUTLE, H
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KRAUTLE, H
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,
1981,
10
(03)
: 473
-
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[26]
Thermal cycle resistance of yttria stabilized zirconia coatings prepared by MO-CVD
Tu, R
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Tohoku Univ, Mat Res Inst, Sendai, Miyagi 9808577, Japan
Tohoku Univ, Mat Res Inst, Sendai, Miyagi 9808577, Japan
Tu, R
Goto, T
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Tohoku Univ, Mat Res Inst, Sendai, Miyagi 9808577, Japan
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Goto, T
MATERIALS TRANSACTIONS,
2005,
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: 1318
-
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[27]
Characterisation of YBaCuO-PrBaCuO Multilayers Grown by Pulsed Injection MO-CVD
V. Galindo
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LMGP- ENSPG,Departamento de Física
V. Galindo
J. P. Senateur
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LMGP- ENSPG,Departamento de Física
J. P. Senateur
E. Alves
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LMGP- ENSPG,Departamento de Física
E. Alves
R. C. da Silva
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LMGP- ENSPG,Departamento de Física
R. C. da Silva
J.A. Silva
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M.M. Cruz
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LMGP- ENSPG,Departamento de Física
M.M. Cruz
M. Godinho
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LMGP- ENSPG,Departamento de Física
M. Godinho
A. Casaca
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机构:
LMGP- ENSPG,Departamento de Física
A. Casaca
G. Bonfait
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机构:
LMGP- ENSPG,Departamento de Física
G. Bonfait
Journal of Low Temperature Physics,
1999,
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: 657
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[28]
AIGAAS/GAAS 2-DEG FETS FABRICATED FROM MO-CVD WAFERS
TAKANASHI, Y
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KOBAYASHI, N
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Epitaxial growth of ZnO films prepared by using MO-CVD with Zn(CgH15O3)2
Haga, K.
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Sendai Natl Coll Technol, Sendai, Miyagi 9893128, Japan
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Haga, K.
Chiba, T.
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机构:
Sendai Natl Coll Technol, Sendai, Miyagi 9893128, Japan
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Chiba, T.
Onodera, H.
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机构:
Sendai Natl Coll Technol, Sendai, Miyagi 9893128, Japan
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Onodera, H.
Kadota, T.
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机构:
Ube Ind Ltd, Ube, Yamaguchi 7558633, Japan
Sendai Natl Coll Technol, Sendai, Miyagi 9893128, Japan
Kadota, T.
Hasegawa, C.
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Ube Ind Ltd, Ube, Yamaguchi 7558633, Japan
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JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY,
2008,
53
(01)
: 55
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58
[30]
Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究
丁永庆
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机构:
中国科学院上海冶金研究所
丁永庆
苏建农
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中国科学院上海冶金研究所
苏建农
王周成
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机构:
中国科学院上海冶金研究所
王周成
彭瑞伍
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机构:
中国科学院上海冶金研究所
彭瑞伍
陈纪安
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机构:
中国科学院上海冶金研究所
陈纪安
关振东
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机构:
中国科学院上海冶金研究所
关振东
杨臣华
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机构:
中国科学院上海冶金研究所
杨臣华
上海金属,
1987,
(05)
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