THERMAL NITRIDATION OF INP

被引：16
作者：
YAMAGUCHI, M
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1980年 / 19卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.19.L401
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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页码：L401 / L404
页数：4
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[1]  
Barin I., 2013, THERMOCHEMICAL PROPE
[2]  
KUBASCHEWSKI O, 1967, METALLURGICAL THERMO, P415
[3]   AN INP MIS DIODE [J].
LILE, DL ;
COLLINS, DA .
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1976, 28 (09) :554-556
[4]   THERMAL STABILITY OF INDIUM NITRIDE AT ELEVATED TEMPERATURES AND NITROGEN PRESSURES [J].
MACCHESNEY, JB ;
BRIDENBAUGH, PM ;
OCONNOR, PB .
MATERIALS RESEARCH BULLETIN, 1970, 5 (09) :783-+
[5]  
MITA Y, 1963, J PHYSICAL SOC JPN, V20, P1822
[6]  
SAWADA T, 1978, 25TH SPRING M JAP SO, P469
[7]  
SIROTA NN, 1968, SEMICONDUCTOR SEMIME, V4, P79
[8]   PERSPECTIVES ON III-V-COMPOUND MIS STRUCTURES [J].
WIEDER, HH .
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1978, 15 (04) :1498-1506
[9]  
YAMAGUCHI M, UNPUBLISHED
1