DETERMINATION OF LOCATION OF OXYGEN IMPLANTED IN SILICON LATTICE

被引:0
作者
KRYUCHKOV, YY [1 ]
TIMOSHNIKOV, YA [1 ]
CHERNOV, IP [1 ]
SLAVIN, NV [1 ]
AZIKOV, BS [1 ]
机构
[1] SM KIROV POLYTECH INST,NUCL PHYS RES INST,TOMSK,USSR
来源
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1977年 / 11卷 / 07期
关键词
D O I
暂无
中图分类号
O469 [凝聚态物理学];
学科分类号
070205 ;
摘要
引用
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页码:829 / 830
页数:2
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共 2 条
[1]  
Andersen J. U., 1971, Radiation Effects, V7, P25, DOI 10.1080/00337577108232561
[2]  
KUZNETSO.BI, 1973, SOV ATOM ENERGY+, V35, P439