SI ETCH RATE AND ETCH YIELD WITH AR+/CL-2 SYSTEM

被引：51

作者：

OKANO, H

HORIIKE, Y

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.20.2429

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2429 / 2430

页数：2

共 8 条

COBURN, JW ;

WINTERS, HF .

[2]

COBURN JW, 1980, 2ND P S DRY PROC TOK, P103

[3]

HARPER JME, 1981, J ELECTROCHEM SOC, V128, P1077, DOI 10.1149/1.2127554

[4]

MEYER UG, 1981, SURF SCI, V103, P177

[5]

MEYER UG, 1981, SURF SCI, V103, P524

[6]

OKANO H, 1980, EL SOC EXT ABSTR, V111

[7]

OKANO H, UNPUB JPN J APPL PHY

[8] CHEMICAL SPUTTERING OF FLUORINATED SILICON [J].

TU, YY ;

CHUANG, TJ ;

WINTERS, HF .

PHYSICAL REVIEW B, 1981, 23 (02) :823-835