GAAS FILMS GROWN BY VACUUM CHEMICAL EPITAXY USING THERMALLY PRECRACKED TRIMETHYL-ARSENIC

被引：16

作者：

FRAAS, LM ^{[1
]}

MCLEOD, PS ^{[1
]}

WEISS, RE ^{[1
]}

PARTAIN, LD ^{[1
]}

CAPE, JA ^{[1
]}

机构：

[1] CHEVRON RES CO,RICHMOND,CA 94802

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.339145

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：299 / 301

页数：3

共 6 条

[1]

BRECKENRIDGE C, 1983, UNPUB SOC TOXICOLOGY

[2] EPITAXIAL-GROWTH FROM ORGANOMETALLIC SOURCES IN HIGH-VACUUM [J].

FRAAS, LM ;

MCLEOD, PS ;

PARTAIN, LD ;

CAPE, JA .

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[3]

SITTING M, 1981, HDB TOXIC HAZARDOUS, P61

TSANG, WT .

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1986, ORGANOMETALLICS LIT, P69

[6]

1946, PB158508