LOW DARK-CURRENT, HIGH-EFFICIENCY PLANAR IN0.53 GA0.47 AS-INP P-I-N PHOTO-DIODES

被引:32
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作者
FORREST, SR
CAMLIBEL, I
KIM, OK
STOCKER, HJ
ZUBER, JR
机构
来源
ELECTRON DEVICE LETTERS | 1981年 / 2卷 / 11期
关键词
D O I
10.1109/EDL.1981.25434
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:283 / 285
页数:3
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