THRESHOLD PROPERTIES OF 1-MU-M, 2-MU-M AND 4-MU-M MULTILAYER MAGNETO-RESISTIVE MEMORY CELLS

被引：12

作者：

POHM, AV

DAUGHTON, JM

COMSTOCK, CS

YOO, HY

HUR, J

机构：

[1] IOWA STATE UNIV SCI & TECHNOL,INST ENGN RES,AMES,IA 50011

[2] HONEYWELL CORP,PLYMOUTH,MN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TMAG.1987.1065598

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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