MICROMETER-GATE MESFETS ON LASER-ANNEALED POLYSILICON

被引：2

作者：

BARNARD, J

FREY, J

LEE, KF

GIBBONS, JF

机构：

[1] CORNELL UNIV,SCH ELECT ENGN,ITHACA,NY 14853

[2] STANFORD UNIV,STANFORD,CA 94305

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19800216

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：297 / 298

页数：2

共 5 条

[1]

BARNARD J, 1979 P INT EL DEV M, P281

[2] ELECTRON-MOBILITY IN SOS FILMS [J].

HSU, ST .

[3]

KAMINS TI, UNPUBLISHED

TASCH, AF ;

HOLLOWAY, TC ;

LEE, KF ;

GIBBONS, JF .

[5] PHYSICAL BASIS OF SHORT-CHANNEL MESFET OPERATION [J].

WADA, T ;

FREY, J .