X-RAY TOPOGRAPHIC STUDIES ON LATTICE DISTORTIONS OF SINGLE CRYSTALS OF SILICON DUE TO SCRATCHING

被引:13
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作者
RENNINGE.M
机构
关键词
D O I
10.1107/S0021889872009136
中图分类号
O6 [化学];
学科分类号
0703 ;
摘要
引用
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页码:163 / &
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