PRECIPITATION OF DOPANTS IN SILICON-GERMANIUM THERMOELECTRIC ALLOYS

被引：0

作者：

BURGESS, EL

NASBY, RD

机构：

来源：

BULLETIN OF THE AMERICAN PHYSICAL SOCIETY | 1972年 / 17卷 / 01期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

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页码：155 / &

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共 1 条

[1] PRECIPITATION OF PHOSPHORUS FROM SOLID SOLUTION IN GE-SI ALLOY [J].

EKSTROM, L ;

DISMUKES, JP .

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