IMPACT IONIZATION RATES IN (100)-GAAS AT HIGH ELECTRIC-FIELDS DERIVED FROM AVALANCHE BREAKDOWN OF SUBMICRON PIN-DIODES

被引：0

作者：

CLAASSEN, M

GROTHE, H

PIERZINA, R

HARTH, W

机构：

来源：

AEU-ARCHIV FUR ELEKTRONIK UND UBERTRAGUNGSTECHNIK-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS | 1987年 / 41卷 / 06期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：2