LONGITUDINAL CONDUCTIVITY PROFILE IN PERIODICALLY PHOTOEXCITED SEMICONDUCTOR TRANSMISSION-LINES

被引：6
作者：
PLATTE, W
机构：
来源：
IEE PROCEEDINGS-J OPTOELECTRONICS | 1989年 / 136卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1049/ip-j.1989.0020
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：108 / 110
页数：3
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    Platte, W.
    [J]. IEE Proceedings, Part J: Optoelectronics, 1985, 132 (02): : 126 - 132
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    [J]. IEE PROCEEDINGS-J OPTOELECTRONICS, 1988, 135 (03): : 251 - 254
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