AMBIPOLAR MOBILITY AND INJECTION CURRENTS IN SEMICONDUCTORS WITH DEEP TRAPS

被引:9
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作者
SABLIKOV, VA [1 ]
机构
[1] ACAD SCI USSR,RADIO ENGN & ELECT INST,MOSCOW,USSR
来源
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1973年 / 15卷 / 02期
关键词
D O I
10.1002/pssa.2210150246
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页数:11
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