CARRIER CONCENTRATION PROFILES OF ION-IMPLANTED SILICON

被引：15

作者：

BADER, R

KALBITZER, S

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1970年 / 16卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1653013

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：13 / +

页数：1

共 15 条

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