HOT-ELECTRON RELAXATION IN POLAR SEMICONDUCTORS

被引：9
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作者：
DASSARMA, S
JAIN, JK
JALABERT, R
机构：
[1] Univ of Maryland, College Park, MD,, USA, Univ of Maryland, College Park, MD, USA
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1988年 / 31卷 / 3-4期
关键词：
The work is supported by the the support of the University Army Research Office (ARO). We also of Maryland Computing Center;
D O I：
10.1016/0038-1101(88)90370-X
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
14
引用
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页码：695 / 700
页数：6
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